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射频晶体管
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NPT1012B

  • MACOM
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  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4.0GHz P1dB 43dBm Gain 13dB GaN
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1
¥1,078.6754
1078.6754
2
¥1,048.866
2097.732
5
¥1,024.8196
5124.098
10
¥994.9198
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN Si
增益
13 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Vgs-栅源极击穿电压
3 V
Id-连续漏极电流
4 mA
最大工作温度
+ 200 C
Pd-功率耗散
44 W
安装风格
Screw Mount
封装
Tray
配置
Single
工作频率
4 GHz
商标
MACOM
P1dB - 压缩点
43 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
440 mOhms
工厂包装数量
30
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 1.8 V
单位重量
220 mg
商品其它信息
优势价格，NPT1012B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A2T21H140-24SR3
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H140-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥399.4098
5:¥390.4263
10:¥375.2052
25:¥363.1481
250:¥326.796
参考库存:37137
1214-370M
Microchip / Microsemi
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射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥3,251.0213
参考库存:37142
MMRF1008HSR5
NXP / Freescale
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1:¥2,121.1682
5:¥2,088.5903
10:¥2,057.4701
25:¥2,013.0498
50:¥1,982.1669
参考库存:37147
BFU530AR
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.6838
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.2317
参考库存:27267
D5017UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 150W-50V-175MHz SE
50:¥390.5054
100:¥383.0474
参考库存:37154
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