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晶体管
PD57060-E参考图片

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PD57060-E

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
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数量单价合计
1
¥415.5462
415.5462
5
¥406.2576
2031.288
10
¥390.3472
3903.472
25
¥377.7477
9443.6925
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
14.3 dB
输出功率
60 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57060S-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
79 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格，PD57060-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SA1577T106Q
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 32V 0.5A SOT-323
1:¥2.6103
10:¥1.7741
100:¥0.73789
1,000:¥0.50737
3,000:¥0.40002
参考库存:5246
IPI80N04S4-03
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1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.571
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参考库存:8388
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1:¥2.9945
10:¥2.034
100:¥0.85315
1,000:¥0.5763
3,000:¥0.45313
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IRL540NPBF
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1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.5088
500:¥5.7517
1,000:¥4.5426
参考库存:18827
IRFSL7730PBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
1:¥22.5096
10:¥19.1309
100:¥16.5997
250:¥15.7522
参考库存:4374
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