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产品分类

晶体管
SI2307BDS-T1-E3参考图片

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SI2307BDS-T1-E3

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数量单价合计
1
¥5.763
5.763
10
¥4.6669
46.669
100
¥3.5369
353.69
500
¥2.9154
1457.7
1,000
¥2.3391
2339.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
78 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
0.75 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
系列
SI2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
5 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
SI2307BDS-E3
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,SI2307BDS-T1-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn RF TRNSTR 4.5V 50mA
1:¥2.9945
10:¥2.3391
100:¥1.2656
1,000:¥0.95259
15,000:¥0.70738
45,000:查看
参考库存:377981
晶体管
MOSFET 12V N-CHANNEL FEMTOFET
1:¥3.9211
10:¥2.9945
100:¥1.6272
1,000:¥1.2204
3,000:¥1.05316
参考库存:73738
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥8.9157
10:¥7.6727
100:¥5.8986
500:¥5.198
1,000:¥4.1132
参考库存:17480
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 30/40V
1:¥19.436
10:¥16.5206
100:¥13.221
500:¥11.526
1,000:¥9.5259
参考库存:7832
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Super E-Line
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
参考库存:32784
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