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晶体管
STL8N10LF3参考图片

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STL8N10LF3

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 100 V 25 mOhm 7.8 A STripFET III
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数量单价合计
1
¥18.984
18.984
10
¥16.1364
161.364
100
¥12.9046
1290.46
500
¥11.30
5650
3,000
¥8.6784
26035.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT-5x6-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
7.8 A
Rds On-漏源导通电阻
25 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
20.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
70 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STL8N10LF3
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
5.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50.6 ns
典型接通延迟时间
8.7 ns
商品其它信息
优势价格，STL8N10LF3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDPF10N50FT
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET UniFET 500V 10A
1:¥11.526
10:¥9.7632
100:¥7.8422
500:¥6.8591
参考库存:6102
DMNH6042SK3-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
2,500:¥2.2148
参考库存:23682
AGR09130EF
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 921-960MHz 150Watt Gain 18dB
1:¥963.4154
5:¥884.0442
10:¥793.373
25:¥702.7018
参考库存:23687
BCV26,235
Nexperia
晶体管
达林顿晶体管 TRANS DARLINGTON
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
10,000:¥0.32996
20,000:查看
参考库存:51189
IRL530STRRPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-Chan 100V 15 Amp
800:¥7.232
参考库存:23694
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