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晶体管
IRFB4410ZPBF参考图片

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IRFB4410ZPBF

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数量单价合计
1
¥11.9102
11.9102
10
¥10.1474
101.474
100
¥7.7631
776.31
500
¥6.9043
3452.15
1,000
¥5.4466
5446.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
97 A
Rds On-漏源导通电阻
7.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
83 nC
Pd-功率耗散
230 W
配置
Single
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001564008
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRFB4410ZPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PMN55ENE/SOT457/SC-74
1:¥3.616
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
参考库存:25190
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1131
1,000:¥1.6385
3,000:¥1.3899
参考库存:25195
晶体管
射频(RF)双极晶体管 1-500MHz Gain Block NF=7.5dB Max. 50 Ohm
1:¥587.826
10:¥539.4168
25:¥484.092
50:¥428.7672
100:¥358.3004
参考库存:25200
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor NPN .1A 50V 10kohm
1:¥1.4577
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.29154
8,000:¥0.18419
24,000:查看
参考库存:25205
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 17.5A D2PAK-2 CoolMOS CFD2
1:¥22.5096
10:¥19.1309
100:¥16.5997
250:¥15.7522
1,000:¥11.9102
2,000:查看
参考库存:14802
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