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晶体管
ZXMP6A18KTC参考图片

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ZXMP6A18KTC

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET 60V P-Channel 6.8A MOSFET
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数量单价合计
1
¥12.8368
12.8368
10
¥10.9158
109.158
100
¥8.7575
875.75
500
¥7.6727
3836.35
1,000
¥6.3506
6350.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
10.4 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
10.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
ZXMP6
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
8.7 S
下降时间
23 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
4.6 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N6989U/TR
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