FJN4309RTA详细参数_参考价格_FJN4309RTA PDF资料_ON Semiconductor / Fairchild

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	4.7 kOhms
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-92-3 Kinked Lead
直流集电极/Base Gain hfe Min	100
集电极—发射极最大电压 VCEO	40 V
集电极连续电流	- 0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	300 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	FJN4309R
封装	Ammo Pack
直流电流增益 hFE 最大值	600
发射极 - 基极电压 VEBO	- 5 V
高度	5.33 mm
长度	5.2 mm
类型	PNP Epitaxial Silicon Transistor
宽度	4.19 mm
商标	ON Semiconductor / Fairchild
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	2000
子类别	Transistors
单位重量	240 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
STD170N4F7AG	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 2.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package	1:¥11.752 10:¥10.0683 100:¥7.684 500:¥6.7913	参考库存:14524
DMT6002LPS-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS 41V-60V	1:¥12.4526 10:¥10.5994 100:¥8.4524 500:¥7.4015 1,000:¥6.1359 2,500:¥6.1359	参考库存:14546
IPD180N10N3GBTMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 100V 43A DPAK-2 OptiMOS 3	1:¥7.8422 10:¥6.7235 100:¥5.1641 500:¥4.5652 2,500:¥3.1979 10,000:查看	参考库存:14528
IPW60R017C7XKSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET	1:¥150.1431 5:¥148.6063 10:¥138.4702 25:¥132.2439	参考库存:3090
FS450R12OE4P	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块	1:¥3,906.0823 5:¥3,670.7259	参考库存:2072