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晶体管
IPD180N10N3GBTMA1参考图片

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IPD180N10N3GBTMA1

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数量单价合计
1
¥7.8422
7.8422
10
¥6.7235
67.235
100
¥5.1641
516.41
500
¥4.5652
2282.6
2,500
¥3.1979
7994.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
43 A
Rds On-漏源导通电阻
14.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
25 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
71 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
XPD180N10
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
20 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
G IPD180N10N3 IPD18N1N3GXT SP000482438
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD180N10N3GBTMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥26.5889
10:¥22.5887
100:¥19.5942
250:¥18.5998
1,000:¥14.0572
2,000:查看
参考库存:2974
晶体管
MOSFET N-CH 800V 0.37Ohm 12A MDmesh K5
1:¥33.7305
10:¥28.6568
100:¥24.8148
250:¥23.5944
500:¥21.131
1,000:¥17.8314
参考库存:3836
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Gain & Crnt
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
参考库存:55508
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 100+
1:¥9.5259
10:¥8.1473
100:¥6.2602
500:¥5.537
2,500:¥3.8759
10,000:查看
参考库存:15110
晶体管
MOSFET P-Ch -60V -8.8A DPAK-2
1:¥6.9947
10:¥5.8082
100:¥3.7516
1,000:¥3.0058
2,500:¥2.5312
参考库存:14932
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