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产品分类

晶体管
IPW60R017C7XKSA1参考图片

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IPW60R017C7XKSA1

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数量单价合计
1
¥150.1431
150.1431
5
¥148.6063
743.0315
10
¥138.4702
1384.702
25
¥132.2439
3306.0975
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
109 A
Rds On-漏源导通电阻
17 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
240 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
446 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS C7
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
106 ns
典型接通延迟时间
30 ns
零件号别名
IPW60R017C7 SP001313542
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPW60R017C7XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor NPN 100mA 50V 10kohm
1:¥1.7628
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.24634
参考库存:26837
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL
1:¥7.6049
10:¥6.4975
100:¥4.9946
500:¥4.407
1,500:¥3.0849
9,000:查看
参考库存:11614
晶体管
MOSFET Dual P-Ch 1.8V Spec Power Trench
1:¥4.2262
10:¥3.5482
100:¥2.1583
1,000:¥1.6724
3,000:¥1.4238
参考库存:11531
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 755-R6015KNX
暂无价格
参考库存:26846
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV TAPE-7
1:¥2.9945
10:¥2.2487
100:¥1.2204
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.791
参考库存:26243
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