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晶体管
SIHB18N60E-GE3参考图片

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SIHB18N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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¥12.7577
12757.7
2,000
¥12.1362
24272.4
5,000
¥11.6842
58421
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
560 V
Id-连续漏极电流
16 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
46 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
179 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
24 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
51 ns
典型接通延迟时间
17 ns
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格，SIHB18N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PBSS302NZ,135
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 20V 5.8A
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
4,000:¥1.5594
参考库存:40033
SK8603140L
Panasonic
晶体管
MOSFET 30V N-ch Power MOSFET 6.15x5.1mm
1:¥13.1419
10:¥11.9102
100:¥9.7632
500:¥7.7631
1,000:¥6.5992
3,000:¥6.5427
参考库存:16040
BD244CG
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 6A 100V 65W PNP
1:¥7.2998
10:¥6.1811
100:¥4.7573
500:¥4.2036
1,000:¥3.3222
参考库存:29792
BUK96180-100A,118
Nexperia
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥6.8365
10:¥5.8421
100:¥4.4861
500:¥3.9663
800:¥3.1301
参考库存:17964
IRFP22N60KPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
1:¥62.4664
10:¥56.2514
25:¥51.2568
100:¥46.2622
参考库存:2911
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