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晶体管
SIHU5N50D-E3参考图片

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SIHU5N50D-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
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数量单价合计
3,000
¥3.8081
11424.3
6,000
¥3.616
21696
9,000
¥3.4804
31323.6
24,000
¥3.3787
81088.8
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
5.3 A
Rds On-漏源导通电阻
1.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
D
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
75
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
SIHU5N50D-GE3
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，SIHU5N50D-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDMS7620S-F106
ON Semiconductor / Fairchild
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3,000:¥2.147
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1,000:¥10.9158
2,000:¥10.1474
5,000:¥9.7632
参考库存:41885
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