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晶体管
BD809G参考图片

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BD809G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 10A 80V 90W NPN
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数量单价合计
1
¥6.6896
6.6896
10
¥5.65
56.5
100
¥4.3392
433.92
500
¥3.8307
1915.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1.1 V
最大直流电集电极电流
10 A
增益带宽产品fT
1.5 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD809
高度
15.75 mm
长度
10.53 mm
封装
Tube
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
10 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
Pd-功率耗散
90 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,BD809G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 2A 30V
1:¥3.4578
10:¥2.6894
100:¥1.4577
1,000:¥1.09836
3,000:¥0.94468
参考库存:33235
晶体管
MOSFET MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg
1:¥17.6732
10:¥15.0629
100:¥11.9893
500:¥10.5316
800:¥8.6784
参考库存:7967
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30V 1A NPN LOW
1:¥4.0002
10:¥3.3222
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:16109
晶体管
MOSFET MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
1:¥6.3732
10:¥5.4918
100:¥4.2149
500:¥3.729
1,000:¥2.938
参考库存:17886
晶体管
MOSFET NFET U8FL 30V 22A 17MOHM
1:¥4.6104
10:¥3.8759
100:¥2.4973
1,000:¥2.0001
1,500:¥1.695
参考库存:5853
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