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晶体管
STH185N10F3-2参考图片

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STH185N10F3-2

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 3.9 mOhm typ., 180 A STripFET F3 Power MOSFET in H2PAK-2 package
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数量单价合计
1
¥36.3408
36.3408
10
¥30.8942
308.942
100
¥26.7358
2673.58
250
¥25.3572
6339.3
1,000
¥19.21
19210
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H2PAK-2
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
4.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
114.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
315 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STH185N10F3-2
商标
STMicroelectronics
下降时间
6.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
97.1 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
99.9 ns
典型接通延迟时间
25.6 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STH185N10F3-2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVMFS5833NWFT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 86A 7.5MOH
1,500:¥3.5595
9,000:¥3.4239
24,000:¥3.3109
参考库存:32732
IPZ60R017C7XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥155.375
5:¥153.7591
10:¥143.3066
25:¥136.8543
参考库存:2240
JANTXV2N6284
Microsemi
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
1:¥662.971
5:¥642.8457
10:¥622.7091
25:¥594.5834
参考库存:32739
DTC125TUAT106
ROHM Semiconductor
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双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:32744
DRA5143T0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.50737
9,000:¥0.45313
24,000:¥0.42262
参考库存:32749
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