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晶体管
IRG4PH30KPBF参考图片

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IRG4PH30KPBF

  • Infineon / IR
  • 最新
  • IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT
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数量单价合计
1
¥27.8884
27.8884
10
¥23.7413
237.413
100
¥20.5208
2052.08
250
¥19.5151
4878.775
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
100 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
20 A
高度
20.3 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001540542
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRG4PH30KPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥15.368
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.1417
参考库存:7972
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN, NPN 60Vceo 1A 1.1W 200Hfe 150MHz
1:¥3.616
10:¥2.7685
100:¥1.5029
1,000:¥1.13
3,000:¥0.97632
9,000:¥0.90626
参考库存:19764
晶体管
MOSFET P-Ch ENH FET -30V 70mOhm -10V -3.8A
1:¥2.9945
10:¥2.1244
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
2,500:¥0.63732
参考库存:25666
晶体管
MOSFET 600V 1A N Channel Mosfet
1:¥5.1528
10:¥4.5313
100:¥3.4917
500:¥2.5764
2,500:¥1.8193
5,000:查看
参考库存:29403
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥3.616
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.2317
参考库存:34470
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