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IPT059N15N3ATMA1

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数量单价合计
1
¥51.3246
51.3246
10
¥46.4091
464.091
25
¥44.2621
1106.5525
100
¥38.42
3842
2,000
¥28.0466
56093.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-HSOF-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
155 A
Rds On-漏源导通电阻
5.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
69 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.4 mm
长度
10.58 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
10.1 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
86 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
46 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
IPT059N15N3 SP001100162
单位重量
65 mg
商品其它信息
优势价格，IPT059N15N3ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N918UB/TR
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暂无价格
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2,000:查看
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1:¥86.445
10:¥79.4503
25:¥76.1507
100:¥67.0768
参考库存:41322
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