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晶体管
BSB014N04LX3GXUMA1参考图片

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BSB014N04LX3GXUMA1

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 40V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥15.5262
15.5262
10
¥13.1419
131.419
100
¥10.5316
1053.16
500
¥9.2208
4610.4
5,000
¥6.8704
34352
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WDSON-2-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
1.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
196 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
89 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
6.35 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.05 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
65 S
下降时间
10 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
8.4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
BSB014N04LX3 BSB14N4LX3GXT G SP000597850
商品其它信息
优势价格,BSB014N04LX3GXUMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR
1:¥3.6838
10:¥2.5764
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
8,000:¥0.70738
24,000:查看
参考库存:41950
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 600mA 60V PNP
1:¥1.2317
10:¥1.05994
100:¥0.37629
1,000:¥0.25312
3,000:¥0.1921
参考库存:260182
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC75 BR XSTR NPN 50V
1:¥1.1526
10:¥1.11418
100:¥0.39211
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:54374
晶体管
MOSFET Power MOSFET - CoolMOS
1:¥86.0608
10:¥78.2186
25:¥72.3087
50:¥68.3876
参考库存:2296
晶体管
MOSFET 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V
1:¥4.6895
10:¥3.616
100:¥2.6781
500:¥2.2035
3,000:¥1.5481
6,000:查看
参考库存:62058
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