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晶体管
IPP12CN10L G参考图片

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IPP12CN10L G

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数量单价合计
1
¥12.8368
12.8368
10
¥10.9158
109.158
100
¥8.6784
867.84
500
¥7.6501
3825.05
1,000
¥6.3393
6339.3
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
69 A
Rds On-漏源导通电阻
9.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
58 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
57 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
39 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
IPP12CN10LGXKSA1 IPP12CN1LGXK SP000680864
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP12CN10L G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CPH3101-TL-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 2A 30V
1:¥3.4578
10:¥2.6894
100:¥1.4577
1,000:¥1.09836
3,000:¥0.94468
参考库存:33235
IRFS3306TRLPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg
1:¥17.6732
10:¥15.0629
100:¥11.9893
500:¥10.5316
800:¥8.6784
参考库存:7967
2SD2703TL
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30V 1A NPN LOW
1:¥4.0002
10:¥3.3222
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:16109
IRFB3806PBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
1:¥6.3732
10:¥5.4918
100:¥4.2149
500:¥3.729
1,000:¥2.938
参考库存:17886
NVTFS4C25NWFTAG
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET U8FL 30V 22A 17MOHM
1:¥4.6104
10:¥3.8759
100:¥2.4973
1,000:¥2.0001
1,500:¥1.695
参考库存:5853
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