NSBC113EPDXV6T1G详细参数_参考价格_NSBC113EPDXV6T1G PDF资料_ON Semiconductor

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	1 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-563-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	3
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	357 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	NSBC113EPDXV6
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	3
高度	0.55 mm
长度	1.6 mm
宽度	1.2 mm
商标	ON Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	4000
子类别	Transistors
单位重量	3 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
ULN2004ADR	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays	1:¥4.7686 10:¥4.0002 100:¥2.5651 1,000:¥2.0566 2,500:¥1.8645	参考库存:175326
TPH12008NH,L1Q	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 80V 1490pF 22nC 12.3mOhm 44A 48W	1:¥10.2152 10:¥8.2264 100:¥6.2828 500:¥5.5596 5,000:¥3.8872 10,000:查看	参考库存:15593
ULN2003AIPWR	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	达林顿晶体管 Hi Vltg HiCrrnt Darl Transistor Array	1:¥4.7686 10:¥3.9211 100:¥2.5312 1,000:¥2.034 2,000:¥1.8419	参考库存:81160
FDB52N20TM	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 200V N-Ch MOSFET	1:¥17.8992 10:¥15.2098 100:¥12.1362 500:¥10.5994 800:¥8.8366	参考库存:126287
SSM3K56ACT,L3F	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V	1:¥4.2262 10:¥2.3278 100:¥0.99892 1,000:¥0.7684 10,000:¥0.52206 20,000:查看	参考库存:111119