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晶体管
TPH12008NH,L1Q参考图片

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TPH12008NH,L1Q

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 80V 1490pF 22nC 12.3mOhm 44A 48W
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数量单价合计
1
¥10.2152
10.2152
10
¥8.2264
82.264
100
¥6.2828
628.28
500
¥5.5596
2779.8
5,000
¥3.8872
19436
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
44 A
Rds On-漏源导通电阻
10.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
22 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
48 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.95 mm
长度
5 mm
系列
TPH12008NH
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Toshiba
下降时间
7.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
851 mg
商品其它信息
优势价格,TPH12008NH,L1Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥15.6731
10:¥13.2888
100:¥10.5994
500:¥9.2999
1,000:¥7.7631
参考库存:7283
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 16 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥15.9782
10:¥13.6052
100:¥10.8367
500:¥9.5259
1,000:¥7.91
3,000:¥7.3111
参考库存:22260
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,397.9456
5:¥1,364.2942
10:¥1,330.4055
25:¥1,311.817
参考库存:2362
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 100A 650V
1:¥1,021.6669
5:¥1,001.6094
10:¥954.8952
25:¥934.8377
参考库存:2364
晶体管
MOSFET 40V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥11.1418
10:¥9.1417
100:¥7.0512
500:¥6.0568
1,000:¥4.7799
3,000:¥4.4635
参考库存:32216
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