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晶体管
DMG4407SSS-13参考图片

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DMG4407SSS-13

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V SO-8 T&R 2.5K
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库存:13,697(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.8194
38.194
100
¥2.3278
232.78
1,000
¥1.7967
1796.7
2,500
¥1.5368
3842
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
9.9 A
Rds On-漏源导通电阻
17 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
41 nC
最小工作温度
- 50 C
最大工作温度
+ 155 C
Pd-功率耗散
1.45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMG4407
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15.4 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
11.3 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格,DMG4407SSS-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:6015
晶体管
MOSFET Nch 60V 8A TO-252 (DPAK)
1:¥6.9947
10:¥5.9664
100:¥4.5765
500:¥4.0454
2,500:¥2.8363
10,000:查看
参考库存:14697
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 30 V, 0.004 Ohm typ., 80 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
3,000:¥5.7065
6,000:查看
参考库存:8009
晶体管
MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥7.458
10:¥5.9664
100:¥4.5313
500:¥3.729
1,000:¥2.9945
3,000:¥2.712
参考库存:47386
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥71.303
10:¥64.4665
25:¥61.472
100:¥53.4038
参考库存:4128
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