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晶体管
SSM3K56ACT,L3F参考图片

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SSM3K56ACT,L3F

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V
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数量单价合计
1
¥4.2262
4.2262
10
¥2.3278
23.278
100
¥0.99892
99.892
1,000
¥0.7684
768.4
10,000
¥0.52206
5220.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
CST3-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.4 A
Rds On-漏源导通电阻
840 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.38 mm
长度
1 mm
系列
SSM3K56
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
0.6 mm
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
1.4 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格，SSM3K56ACT,L3F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TPS1100PW
Texas Instruments
晶体管
MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
参考库存:3013
QS5U33TR
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 30V; 2A; N-Channel Single
1:¥4.7686
10:¥4.0002
100:¥2.6103
1,000:¥2.0792
3,000:¥1.7628
参考库存:6725
RGTH60TS65GC11
ROHM Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 650V 30A IGBT Stop Trench
1:¥22.5096
10:¥19.1309
100:¥16.5997
250:¥15.7522
参考库存:3972
MT3S16U(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF 50mW 5.5dB 10V USM 60mA 2GHz
1:¥4.2262
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
参考库存:14324
FC8V33030L
Panasonic
晶体管
MOSFET Nch+Nch MOSFET 2.9x2.8mm Flat lead
1:¥7.684
10:¥5.9777
100:¥5.2545
500:¥4.7008
1,000:¥3.1301
3,000:¥2.8024
参考库存:23161
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