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晶体管
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FDB52N20TM

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数量单价合计
1
¥17.8992
17.8992
10
¥15.2098
152.098
100
¥12.1362
1213.62
500
¥10.5994
5299.7
800
¥8.8366
7069.28
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
52 A
Rds On-漏源导通电阻
49 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FDB52N20
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
35 S
下降时间
150 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
160 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
150 ns
典型接通延迟时间
30 ns
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格,FDB52N20TM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥3.2996
10:¥2.1244
100:¥0.91417
1,000:¥0.69947
2,000:¥0.52997
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10:¥13.673
100:¥10.9158
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1:¥3.616
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
4,000:¥0.95259
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1:¥9.379
10:¥7.9891
100:¥6.1133
500:¥5.3901
1,000:¥4.2601
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1:¥4.7686
10:¥3.9776
100:¥2.5538
1,000:¥2.0566
参考库存:20217
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