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晶体管
FQU1N60CTU参考图片

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FQU1N60CTU

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数量单价合计
1
¥5.3788
5.3788
10
¥4.4409
44.409
100
¥2.8702
287.02
1,000
¥2.2939
2293.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
1 A
Rds On-漏源导通电阻
11.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
6.3 mm
长度
6.8 mm
系列
FQU1N60C
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
2.5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
0.75 S
下降时间
27 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns
工厂包装数量
5040
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
7 ns
零件号别名
FQU1N60CTU_NL
单位重量
343.080 mg
商品其它信息
优势价格,FQU1N60CTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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