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晶体管
DMN2025UFDF-13参考图片

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DMN2025UFDF-13

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 10K
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数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.2374
22.374
100
¥1.2091
120.91
1,000
¥0.90626
906.26
2,500
¥0.78422
1960.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN2020-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
6.5 A
Rds On-漏源导通电阻
25 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
12.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
9.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.4 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17.6 ns
典型接通延迟时间
3.4 ns
单位重量
6.500 mg
商品其它信息
优势价格,DMN2025UFDF-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 200V N-CH MOSFET
1:¥4.9155
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
2,500:¥2.0905
参考库存:47823
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 8A 80V 20W NPN
1:¥4.6104
10:¥3.7629
100:¥2.2939
1,000:¥1.7741
参考库存:20115
晶体管
MOSFET 20 V, complementary N/P-channel Trench
1:¥3.6838
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
5,000:¥1.2317
参考库存:129757
晶体管
MOSFET Std N-chanMOSFET
1:¥11.6842
10:¥9.9101
100:¥7.6049
500:¥6.7235
800:¥5.311
参考库存:24364
晶体管
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.65mOhm 100A
1:¥16.8257
10:¥14.2945
100:¥11.4469
500:¥9.9892
参考库存:13371
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