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晶体管
IKW40N65H5参考图片

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IKW40N65H5

  • Infineon Technologies
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  • IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
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数量单价合计
240
¥25.4363
6104.712
480
¥24.1255
11580.24
720
¥21.6734
15604.848
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
74 A
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 H5
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW40N65H5FKSA1 SP001001730
商品其它信息
优势价格,IKW40N65H5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V Single N-Ch PowerTrench MOSFET
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:51147
晶体管
MOSFET 80V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥8.2942
10:¥6.8591
100:¥5.2658
500:¥4.5313
3,000:¥3.3335
6,000:查看
参考库存:31209
晶体管
MOSFET N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥8.4524
10:¥7.2207
100:¥5.537
500:¥4.8929
5,000:¥3.4239
10,000:查看
参考库存:43241
晶体管
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
1:¥5.0737
10:¥4.2601
100:¥2.7459
1,000:¥2.1922
3,000:¥1.8532
参考库存:16213
晶体管
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥12.7577
10:¥10.8367
100:¥8.6784
500:¥7.6049
5,000:¥5.65
10,000:查看
参考库存:51215
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