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晶体管
NTD4302T4G参考图片

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NTD4302T4G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET 30V 68A N-Channel
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数量单价合计
1
¥8.6784
8.6784
10
¥7.4241
74.241
100
¥5.7065
570.65
500
¥5.0398
2519.9
2,500
¥3.5256
8814
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
68 A
Rds On-漏源导通电阻
7.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
75 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
系列
NTD4302
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
20 S
下降时间
55 ns, 40 ns, 58 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns, 13 ns, 25 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns, 55 ns, 40 ns
典型接通延迟时间
11 ns, 11 ns, 15 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,NTD4302T4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9495
500:¥6.1359
1,000:¥4.8364
参考库存:5043
晶体管
MOSFET
1:¥109.1919
5:¥103.5758
10:¥99.7338
25:¥95.8918
参考库存:5200
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 47K
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:169547
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥13.9103
10:¥11.6051
25:¥9.605
100:¥8.7575
2,000:¥5.65
参考库存:27052
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 47K
3,000:¥0.66105
9,000:¥0.5989
24,000:¥0.56048
参考库存:27057
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