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晶体管
BUJ403A,127参考图片

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BUJ403A,127

  • WeEn Semiconductors
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 550V 6A 3-Pin(3+Tab)
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数量单价合计
5,000
¥2.3278
11639
10,000
¥2.2487
22487
25,000
¥2.1583
53957.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
WeEn Semiconductors
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
550 V
集电极—基极电压 VCBO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
0.15 V
最大直流电集电极电流
6 A
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
47
高度
9.4 mm
长度
10.3 mm
宽度
4.7 mm
商标
WeEn Semiconductors
直流集电极/Base Gain hfe Min
13
Pd-功率耗散
100 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
934054660127
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,BUJ403A,127的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET JFET N-Channel -40V 50mA 300mW 1.7mW
1:¥91.6656
10:¥75.145
100:¥62.3986
500:¥56.8616
参考库存:3666
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA Complementary 50V NPN & PNP
1:¥1.921
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:783213
晶体管
MOSFET 20V 1A Nch Power MOSFET
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
8,000:¥0.4068
24,000:查看
参考库存:68735
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFI830G
1:¥13.9103
10:¥11.526
100:¥8.9157
500:¥7.8422
1,000:¥6.4636
参考库存:7757
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥4.4522
10:¥3.7064
100:¥2.3843
1,000:¥1.9097
2,500:¥1.6159
参考库存:13704
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