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晶体管
IKW75N60T参考图片

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IKW75N60T

  • Infineon Technologies
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  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 75A
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库存:6,318(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥63.619
63.619
10
¥57.4718
574.718
25
¥54.7824
1369.56
100
¥47.5617
4756.17
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
428 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.03 mm
宽度
5.16 mm
商标
Infineon Technologies
集电极连续电流
80 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW75N60TFKSA1 IKW75N6TXK SP000054889
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IKW75N60T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 1A
1:¥4.0002
10:¥3.0058
100:¥1.6272
1,000:¥1.2204
2,000:¥1.05316
参考库存:7869
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 1.6 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-2 package
1:¥23.4362
10:¥19.8993
100:¥17.289
250:¥16.3624
1,000:¥12.3735
2,000:查看
参考库存:6546
晶体管
MOSFET Automotive MOSFET 27A, 71 nC, D2Pak
1:¥21.8994
10:¥18.5998
100:¥16.1364
250:¥15.2889
800:¥11.6051
2,400:查看
参考库存:5993
晶体管
MOSFET P-Ch 40V Enh Mode 60Vds 20Vgs 2569pF
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
2,000:¥2.825
参考库存:35455
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥3.0736
10:¥2.6103
100:¥1.5933
1,000:¥1.2317
2,000:¥1.05316
10,000:¥1.03734
参考库存:2977
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