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晶体管

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2SC5053T100Q

  • ROHM Semiconductor
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 1A
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数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥3.0058
30.058
100
¥1.6272
162.72
1,000
¥1.2204
1220.4
2,000
¥1.05316
2106.32
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SC5053
直流电流增益 hFE 最大值
390
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.5 mm
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
141 mg
商品其它信息
优势价格,2SC5053T100Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30V 5A 10W TO-252(DPAK)
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.7574
500:¥5.9777
1,000:¥4.7234
2,500:¥4.181
参考库存:17032
晶体管
IGBT 模块 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT
1:¥22.0576
10:¥18.7467
100:¥16.2155
250:¥15.368
800:¥11.6051
2,400:查看
参考库存:7084
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥21.9785
10:¥17.6732
100:查看
参考库存:4806
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥372.7531
2:¥362.6057
5:¥352.5374
10:¥342.4804
参考库存:4788
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥21.131
10:¥17.8992
100:¥14.3736
500:¥12.5204
1,000:¥10.3734
2,500:¥10.3734
参考库存:50115
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