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晶体管
STH265N6F6-2AG参考图片

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STH265N6F6-2AG

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 1.6 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-2 package
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数量单价合计
1
¥23.4362
23.4362
10
¥19.8993
198.993
100
¥17.289
1728.9
250
¥16.3624
4090.6
1,000
¥12.3735
12373.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H2PAK-2
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
1.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
183 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STH265N6F6-2AG
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
63 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
165 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
144 ns
典型接通延迟时间
31 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STH265N6F6-2AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PSMN8R9-100BSEJ
Nexperia
晶体管
MOSFET PSMN8R9-100BSE/SOT404/D2PAK
800:¥10.1474
1,600:¥8.3733
3,200:¥7.8422
5,600:¥7.5032
参考库存:43468
CMKT2907A
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual PNP
6,000:¥1.921
9,000:¥1.8532
24,000:¥1.7854
45,000:¥1.7515
参考库存:43473
DMT10H009LSS-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
2,500:¥3.2092
10,000:¥3.0849
25,000:¥2.9945
参考库存:129781
APT13003EZTR-G1
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 465V NPN High Volt 700Vces 450Vceo
2,000:¥0.60681
10,000:¥0.53788
24,000:¥0.50737
参考库存:84783
IFN423
InterFET
晶体管
JFET Very high input impedence
65:¥110.8078
100:¥101.9712
250:¥92.9764
500:¥86.9083
参考库存:43482
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