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晶体管
SQJB42EP-T1_GE3参考图片

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SQJB42EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET Dual N-Channel 40V PowerPAK
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数量单价合计
1
¥9.379
9.379
10
¥7.6727
76.727
100
¥5.8986
589.86
500
¥5.0624
2531.2
1,000
¥4.0002
4000.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
7.9 mOhms, 7.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
30 nC, 30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
48 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
37 S, 37 S
下降时间
18 ns, 18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns, 4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns, 21 ns
典型接通延迟时间
13 ns, 13 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SQJB42EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 DI5060-8 T&R 2.5K
1:¥6.0681
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
2,500:¥2.6103
参考库存:22507
晶体管
MOSFET NFET TSOP6 30V 7A 0.030R
1:¥6.5314
10:¥5.6274
100:¥4.3279
500:¥3.8307
3,000:¥2.6781
9,000:查看
参考库存:17774
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2
1:¥7.3789
10:¥6.2828
100:¥4.8138
500:¥4.2601
2,500:¥2.9832
10,000:查看
参考库存:15261
晶体管
MOSFET 20V .66A .27W
1:¥4.1471
10:¥3.164
100:¥2.3504
500:¥1.9323
3,000:¥1.356
6,000:查看
参考库存:39693
晶体管
MOSFET Small Signal MOSFET
1:¥4.3844
10:¥2.9154
100:¥1.6159
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.07576
参考库存:31695
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