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晶体管
SIHA24N65EF-E3参考图片

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SIHA24N65EF-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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数量单价合计
1
¥45.3356
45.3356
10
¥37.5725
375.725
100
¥30.962
3096.2
250
¥29.9676
7491.9
500
¥26.894
13447
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
700 V
Id-连续漏极电流
24 A
Rds On-漏源导通电阻
156 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
81 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
39 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.9 mm
长度
10.5 mm
系列
SIH
宽度
4.69 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
46 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
34 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
80 ns
典型接通延迟时间
24 ns
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格，SIHA24N65EF-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STD19N3LLH6AG
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 30 V, 25 mOhm typ, 10 A STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥6.9156
10:¥5.7178
100:¥3.6838
1,000:¥2.9493
2,500:¥2.4973
参考库存:16592
SIHB20N50E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥25.3572
10:¥20.9728
100:¥17.289
250:¥16.7466
参考库存:18274
SIRA24DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥6.7574
10:¥5.5935
100:¥4.294
500:¥3.6838
1,000:¥2.9154
3,000:¥2.9154
参考库存:4826
CSD18510KTT
Texas Instruments
晶体管
MOSFET GEN1.4 40V-20V
1:¥16.5206
10:¥14.0572
100:¥11.2209
500:¥9.7632
1,000:¥8.0682
参考库存:20438
IPB110N20N3LFATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥53.4829
10:¥48.3301
25:¥46.104
100:¥40.0359
1,000:¥30.3518
2,000:查看
参考库存:13765
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