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晶体管
NSS40302PDR2G参考图片

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NSS40302PDR2G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A
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数量单价合计
1
¥5.537
5.537
10
¥4.5991
45.991
100
¥2.9606
296.06
1,000
¥2.373
2373
2,500
¥2.0001
5000.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-Narrow-8
晶体管极性
NPN, PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NSS40302PD
直流电流增益 hFE 最大值
200 at 10 mA, 2 V
高度
1.5 mm
长度
5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
4 mm
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
200 at 10 mA, 2 V, 200 at 500 mA, 2 V, 180 at 1 A, 2 V, 180 at 2 A, 2 V
Pd-功率耗散
783 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
143 mg
商品其它信息
优势价格，NSS40302PDR2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPB029N06N3GATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
1,000:¥6.6896
参考库存:6141
BSZ058N03MS G
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
5,000:¥2.3391
参考库存:19068
MJD253-1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 4A 100V 12.5W PNP
1:¥5.4579
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
参考库存:4955
IPP023N04NGXKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 90A TO220-3
1:¥14.6787
10:¥12.4526
100:¥9.9892
500:¥8.6784
1,000:¥7.2433
参考库存:5392
SPD18P06PGBTMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET P-Ch -60V -18.6A DPAK-2
1:¥8.4524
10:¥7.2659
100:¥5.5822
500:¥4.9381
2,500:¥3.4578
10,000:查看
参考库存:25729
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