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晶体管
CSD18535KTT参考图片

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CSD18535KTT

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET KTT pkg spin from CSD18535KCS
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库存：5,463(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.2045
22.2045
10
¥19.9784
199.784
100
¥16.3624
1636.24
250
¥15.368
3842
500
¥13.9103
6955.15
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
200 A
Rds On-漏源导通电阻
2.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.9 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
81 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
19.7 mm
长度
9.25 mm
系列
CSD18535KTT
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
10.26 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
263 S
下降时间
3 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
9 ns
商品其它信息
优势价格，CSD18535KTT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRLD120PBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET HEXDI
1:¥7.1416
10:¥6.2828
100:¥4.8364
500:¥3.5821
参考库存:30608
NX3008PBK,215
Nexperia
晶体管
MOSFET 30V 230 MA P-CH TRENCH MOSFET
1:¥2.3843
10:¥1.582
100:¥0.66105
1,000:¥0.45313
3,000:¥0.35369
参考库存:303125
PSMN7R0-100PS,127
Nexperia
晶体管
MOSFET N-CH 100V STD LEVEL MOSFET
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4015
参考库存:25452
MGSF1N02LT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SOT23 20V 75mA 90mOhm
1:¥3.4578
10:¥2.5877
100:¥1.4012
1,000:¥1.05316
3,000:¥0.90626
9,000:¥0.85315
参考库存:316719
FS100R12KT4G_B11
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 100A
1:¥1,172.8835
5:¥1,149.8315
10:¥1,096.2017
25:¥1,073.2288
参考库存:1771
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