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晶体管
SI4401FDY-T1-GE3参考图片

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SI4401FDY-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET -40V Vds 20V Vgs SO-8
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数量单价合计
1
¥6.8365
6.8365
10
¥5.4579
54.579
100
¥4.1471
414.71
500
¥3.4239
1711.95
1,000
¥2.7459
2745.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
14 A
Rds On-漏源导通电阻
14.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
66 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
45 S
下降时间
6 ns, 39 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns, 75 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
39 ns, 44 ns
典型接通延迟时间
12 ns, 27 ns
商品其它信息
优势价格,SI4401FDY-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
1:¥19.21
10:¥16.3624
100:¥13.0628
500:¥11.4469
1,000:¥9.4468
参考库存:4487
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PWR BIP/S.SIGNAL
1:¥6.6105
10:¥5.6613
100:¥4.3505
500:¥3.842
2,500:¥2.6894
10,000:查看
参考库存:37394
晶体管
MOSFET 250V Vds 20V Vgs TO-220
1:¥22.3627
10:¥18.5207
100:¥15.2098
250:¥14.7578
参考库存:6066
晶体管
MOSFET T8 60V LOW COSS
1:¥33.5836
10:¥28.589
100:¥24.747
250:¥23.5153
1,500:¥16.9048
4,500:查看
参考库存:4463
晶体管
MOSFET N-Ch 250V 17A D2PAK-2
1:¥12.2153
10:¥10.3734
100:¥8.2942
500:¥7.3111
1,000:¥6.0681
参考库存:11045
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