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晶体管
MJD253-1G参考图片

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MJD253-1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 4A 100V 12.5W PNP
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1
¥5.4579
5.4579
10
¥4.5313
45.313
100
¥2.9154
291.54
1,000
¥2.3391
2339.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
IPAK-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
0.6 V
最大直流电集电极电流
4 A
增益带宽产品fT
40 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJD253
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
封装
Tube
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
Pd-功率耗散
12.5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
75
子类别
Transistors
单位重量
701 mg
商品其它信息
优势价格，MJD253-1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STI13NM60N
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK
1:¥13.6052
10:¥11.6051
100:¥9.2208
500:¥8.0682
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TSM60N750CH
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晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 6A, 750mOhm
5,625:¥4.8138
11,250:¥4.7121
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2N6547
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥336.0959
250:¥307.134
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STB5NK50Z-1
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 500 V 1.22 OHM - 4.4A
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
参考库存:51187
2N3584
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥243.8088
250:¥227.5255
参考库存:51192
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