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晶体管
SUD80460E-GE3参考图片

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SUD80460E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 150V Vds 42A Id 10.5nC Qg Typ.
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库存:9,209(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.6049
7.6049
10
¥6.0568
60.568
100
¥4.5991
459.91
500
¥3.7968
1898.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
42 A
Rds On-漏源导通电阻
37.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
16 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
65.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
11 S
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,SUD80460E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 86A 7.5MOH
1,500:¥3.5595
9,000:¥3.4239
24,000:¥3.3109
参考库存:32732
晶体管
MOSFET
1:¥155.375
5:¥153.7591
10:¥143.3066
25:¥136.8543
参考库存:2240
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
1:¥662.971
5:¥642.8457
10:¥622.7091
25:¥594.5834
参考库存:32739
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:32744
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.50737
9,000:¥0.45313
24,000:¥0.42262
参考库存:32749
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