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晶体管
SSM6J207FE,LF参考图片

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SSM6J207FE,LF

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET Small-signal FET 0.491Ohm -1.4A -30V
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数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥2.486
24.86
100
¥1.3899
138.99
1,000
¥1.01474
1014.74
4,000
¥0.87575
3503
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ES6-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.4 A
Rds On-漏源导通电阻
191 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
系列
SSM6J207
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.2 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
15 ns
商品其它信息
优势价格，SSM6J207FE,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMT10H072LFDF-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020-6 T&R 10K
1:¥4.9155
10:¥4.1019
100:¥2.6442
1,000:¥2.1244
10,000:¥2.1244
参考库存:50381
TSM9ND50CI C0G
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 500V 9A 0.9Ohm Sng N-Chan Pwr MOSFET
4,000:¥6.215
6,000:¥5.989
10,000:¥5.8647
参考库存:50386
APTGT150SK170G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥871.3656
参考库存:50391
IRG4IBC20FDPBF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz
2,000:¥14.2154
参考库存:50396
PTFB183404F-V2-R250
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,281.0019
参考库存:50401
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