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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
技术	GaN
增益	16.2 dB
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	-
输出功率	90 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	-
Pd-功率耗散	-
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	DFN-6
封装	Cut Tape
封装	Reel
应用	Microcell Base Station, W-CDMA / LTE
配置	Single
工作频率	1.8 GHz to 3.8 GHz
系列	QPD
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
开发套件	QPD0060PCB4B01
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	250
子类别	Transistors
零件号别名	1131037

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
JANTX2N4957	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT	1:¥492.0811 5:¥471.4134 10:¥463.1192 25:¥434.146	参考库存:40441
STL21N65M5	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Mdmesh 650V .19 Ohms 1mm TO-220 17A (ID)	1:¥47.6408 10:¥40.4992 100:¥35.1204 250:¥33.2672 3,000:¥23.9786	参考库存:40446
2N1890	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT	1:¥189.7948 5:¥181.2633 10:¥175.5794 25:¥161.364	参考库存:40451
BCP5316H6327XTSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS	1:¥3.7629 10:¥3.1753 100:¥1.9323 1,000:¥1.5029 2,000:¥1.2769	参考库存:40456
2SD2098T100S	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 20V 5A	1:¥4.5313 10:¥3.7516 100:¥2.2939 1,000:¥1.7628 2,000:¥1.5029	参考库存:40461