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晶体管
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FDS8882

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库存:20,071(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.2997
5.2997
10
¥4.3844
43.844
100
¥2.825
282.5
1,000
¥2.2713
2271.3
2,500
¥1.9097
4774.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
20 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
FDS8882
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
130 mg
商品其它信息
优势价格,FDS8882的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
1:¥62.6246
10:¥56.3192
25:¥51.3246
100:¥46.33
3,000:¥32.4988
参考库存:2772
晶体管
MOSFET NMOS PWR56 80V 7.5 MOHM
1:¥10.1474
10:¥8.6784
100:¥6.6331
500:¥5.8647
3,000:¥4.1019
9,000:查看
参考库存:23774
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.370 Ohm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥12.5204
10:¥10.6785
100:¥8.2264
500:¥7.2207
2,500:¥5.0511
10,000:查看
参考库存:50921
晶体管
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 100mOhm 3V
1:¥5.4579
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
2,500:¥2.3391
参考库存:46028
晶体管
MOSFET TRENCH_MOSFETS
1:¥13.5261
10:¥11.4469
100:¥9.1417
500:¥7.9891
4,000:¥5.989
8,000:查看
参考库存:21480
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