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晶体管
IPB019N08N3GATMA1参考图片

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IPB019N08N3GATMA1

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数量单价合计
1
¥43.5728
43.5728
10
¥37.0414
370.414
100
¥32.0468
3204.68
250
¥30.4309
7607.725
500
¥27.2782
13639.1
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
1.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
206 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
103 S
下降时间
33 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
73 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
86 ns
典型接通延迟时间
28 ns
零件号别名
G IPB019N08N3 IPB19N8N3GXT SP000444110
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格，IPB019N08N3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI3400A-TP
Micro Commercial Components (MCC)
晶体管
MOSFET -30V, -4.2A,P Channe l Mosfet
1:¥5.4579
10:¥3.9324
100:¥2.3165
1,000:¥1.01474
30,000:¥0.66105
48,000:查看
参考库存:18510
TSM4424CS RLG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 20V N channel Mosfet
1:¥4.1471
10:¥3.5369
100:¥2.6329
500:¥1.9323
2,500:¥1.3334
5,000:查看
参考库存:35214
FS10R06VL4_B2
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 600V 16A
1:¥156.2903
5:¥154.6744
10:¥144.1541
25:¥137.7018
参考库存:35219
DRA2114T0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.47686
9,000:¥0.42262
24,000:¥0.40002
45,000:¥0.34578
参考库存:35224
BC858BE6327HTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.5368
10:¥1.4012
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:35229
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