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晶体管
STD11N60DM2参考图片

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STD11N60DM2

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.370 Ohm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
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数量单价合计
1
¥12.5204
12.5204
10
¥10.6785
106.785
100
¥8.2264
822.64
500
¥7.2207
3610.35
2,500
¥5.0511
12627.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
370 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
16.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STD11N60DM2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
9.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.3 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31 ns
典型接通延迟时间
11.7 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格，STD11N60DM2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VN10KN3-P014-G
Microchip Technology
晶体管
MOSFET 60V 5Ohm
1:¥4.9155
10:¥4.068
25:¥3.3787
100:¥3.0736
2,000:¥1.9775
参考库存:10206
IRFSL4410ZPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC
1:¥21.7412
10:¥18.4416
100:¥14.7578
500:¥12.9046
1,000:¥10.6785
参考库存:7423
FDD5670
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 60V N-Ch PowerTrench
1:¥17.289
10:¥14.6787
100:¥11.752
500:¥10.2943
2,500:¥7.91
5,000:查看
参考库存:7275
IRF8010PBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 80A 15mOhm 81nC
1:¥15.2889
10:¥12.9837
100:¥10.3734
500:¥9.0626
参考库存:11192
IRFB3607PBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
1:¥7.0738
10:¥5.8986
100:¥3.8081
1,000:¥3.0397
参考库存:15029
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