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晶体管
DMN2025UFDF-7参考图片

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DMN2025UFDF-7

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
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数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.2374
22.374
100
¥1.2091
120.91
1,000
¥0.90626
906.26
3,000
¥0.78422
2352.66
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN2020-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
6.5 A
Rds On-漏源导通电阻
25 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
12.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
9.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17.6 ns
典型接通延迟时间
3.4 ns
单位重量
6.500 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPW65R190CFDA
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-3
1:¥36.499
10:¥30.962
100:¥26.894
250:¥25.5154
500:¥22.8938
参考库存:2468
2SA1576AT106Q
ROHM Semiconductor
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50V 0.15A SOT-323
1:¥2.6103
10:¥1.7402
100:¥0.72998
1,000:¥0.49946
3,000:¥0.39211
参考库存:17140
DTC114YETL
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 70MA SOT-416
1:¥2.7685
10:¥1.8645
100:¥0.78422
1,000:¥0.52997
3,000:¥0.41471
参考库存:29002
VS-GA250SA60S
Vishay Semiconductors
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1:¥624.099
5:¥611.7255
10:¥586.131
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参考库存:2469
BCX19,215
Nexperia
晶体管
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1:¥1.921
10:¥1.2769
100:¥0.52997
1,000:¥0.3616
3,000:¥0.28476
参考库存:52421
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