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晶体管
DMN62D1LFDQ-7参考图片

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DMN62D1LFDQ-7

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数量单价合计
3,000
¥0.69947
2098.41
9,000
¥0.63732
5735.88
24,000
¥0.59212
14210.88
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN1212-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
400 mA
Rds On-漏源导通电阻
2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
0.55 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
0.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
1.8 S
下降时间
13.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
2.1 ns
商品其它信息
优势价格,DMN62D1LFDQ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
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518:¥7.8422
1,000:¥6.4636
2,500:¥6.0229
5,000:¥5.7969
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2,000:¥1.921
4,000:¥1.7854
10,000:¥1.7176
24,000:¥1.6498
50,000:¥1.5933
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45,000:¥0.63732
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24,000:¥1.08367
45,000:¥1.05994
参考库存:42440
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