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晶体管
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MJD350TF

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库存:75,531(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥4.0567
40.567
100
¥2.4747
247.47
1,000
¥1.9097
1909.7
2,000
¥1.6272
3254.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 300 V
集电极—基极电压 VCBO
- 300 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 3 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJD350
直流电流增益 hFE 最大值
240
高度
2.3 mm
长度
6.6 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
6.1 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
- 0.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
Pd-功率耗散
15 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,MJD350TF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥25.3572
10:¥22.8938
100:¥18.4416
500:¥12.7577
参考库存:5844
晶体管
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥6.8365
10:¥6.1359
100:¥4.7912
500:¥3.5934
3,000:¥2.5538
6,000:查看
参考库存:44451
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W 60V 6A
1:¥3.842
10:¥3.2092
100:¥1.9549
1,000:¥1.5142
2,500:¥1.2882
参考库存:13783
晶体管
IGBT 晶体管 Infineon's TRENCHSTOP IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device due to combination of trench top-cell and filed stop concept. Combination of IGBT with soft recovery Emitter Controlled Diod
1:¥8.3733
10:¥7.1981
100:¥5.537
500:¥4.8816
2,500:¥3.4239
10,000:查看
参考库存:11805
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR
1:¥1.1526
10:¥1.11418
100:¥0.39211
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:52587
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