VNP5N07-E详细参数_参考价格_VNP5N07-E PDF资料_STMicroelectronics

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	STMicroelectronics
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Id-连续漏极电流	5 A
Rds On-漏源导通电阻	200 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	800 mV
Qg-栅极电荷	18 nC
Pd-功率耗散	31 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
资格	AEC-Q101
封装	Tube
系列	VNP5N07
晶体管类型	1 N-Channel OMNIFET Power MOSFET
类型	Power MOSFET
商标	STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值	4 S
下降时间	40 ns, 1100 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	60 ns, 400 ns
工厂包装数量	1000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	150 ns, 3900 ns
典型接通延迟时间	50 ns, 150 ns
单位重量	330 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BC817-16-TP	Micro Commercial Components (MCC)	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45V 800mA	1:¥1.695 10:¥1.5594 100:¥0.46895 1,000:¥0.32318 3,000:¥0.24634	参考库存:32976
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IPAN70R900P7SXKSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET CONSUMER	1:¥7.1416 10:¥5.9438 100:¥3.8307 1,000:¥3.0736	参考库存:4680
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IPA60R280P6	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3	1:¥16.5206 10:¥14.0572 100:¥11.2209 500:¥9.831 1,000:¥8.1473	参考库存:6154