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晶体管
FF450R12ME4参考图片

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FF450R12ME4

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数量单价合计
1
¥1,327.2528
1327.2528
5
¥1,295.3642
6476.821
10
¥1,263.1705
12631.705
25
¥1,245.4973
31137.4325
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
在25 C的连续集电极电流
675 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2250 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF450R12ME4BOSA1 SP000389732
单位重量
345 g
商品其它信息
优势价格,FF450R12ME4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 HIGH SPEED TECH 1200V 3A
1:¥17.8314
10:¥15.142
100:¥12.1362
500:¥10.5994
1,000:¥8.7575
参考库存:4198
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.76 Ohm typ., 4.8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT(TM) 5x6 HV package
1:¥16.4415
10:¥13.9103
100:¥11.1418
500:¥9.7632
1,000:¥8.0682
3,000:¥8.0682
参考库存:12110
晶体管
MOSFET N-Ch 60 Volt 23 Amp
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.5823
500:¥6.7122
参考库存:13452
晶体管
MOSFET P-Ch -60V -170mA SOT-23-3
1:¥2.5312
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
10,000:¥0.32996
20,000:查看
参考库存:1039504
晶体管
MOSFET N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
1:¥46.7142
10:¥42.262
25:¥40.2619
100:¥34.9622
参考库存:12611
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