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晶体管
SI7994DP-T1-GE3参考图片

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SI7994DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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数量单价合计
1
¥28.589
28.589
10
¥23.6622
236.622
100
¥19.5151
1951.51
250
¥18.9049
4726.225
3,000
¥18.9049
56714.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
5.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
52 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
46 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SI7
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
105 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
SI7994DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SI7994DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AUIRFR540ZTRL
Infineon / IR
晶体管
MOSFET Automotive MOSFET 1 100V, 26 mOhm, DPAK
1:¥12.9837
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.7631
3,000:¥5.989
6,000:查看
参考库存:15487
IPP80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥21.2892
10:¥18.0574
100:¥15.6731
250:¥14.9047
500:¥13.3679
参考库存:18184
BUK7609-75A,118
Nexperia
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥15.368
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.1417
800:¥7.5484
参考库存:15186
FF1000R17IE4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 1.39KA
1:¥5,143.1272
参考库存:3208
STB150NF55T4
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 55 Volt 120 Amp
1:¥27.7415
10:¥23.5944
100:¥20.4417
250:¥19.3682
1,000:¥14.6787
2,000:查看
参考库存:6845
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