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晶体管
MCP87090T-U/MF参考图片

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MCP87090T-U/MF

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库存:13,432(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.9211
3.9211
10
¥3.8985
38.985
25
¥3.164
79.1
100
¥2.9945
299.45
3,300
¥2.5764
8502.12
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PDFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
64 A
Rds On-漏源导通电阻
10 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.35 V
Qg-栅极电荷
7.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.2 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Microchip Technology
正向跨导 - 最小值
62 S
下降时间
2.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.3 ns
工厂包装数量
3300
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
5.3 ns
典型接通延迟时间
2.5 ns
单位重量
104.720 g
商品其它信息
优势价格,MCP87090T-U/MF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020-6 T&R 10K
1:¥4.9155
10:¥4.1019
100:¥2.6442
1,000:¥2.1244
10,000:¥2.1244
参考库存:50381
晶体管
MOSFET 500V 9A 0.9Ohm Sng N-Chan Pwr MOSFET
4,000:¥6.215
6,000:¥5.989
10,000:¥5.8647
参考库存:50386
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥871.3656
参考库存:50391
晶体管
IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz
2,000:¥14.2154
参考库存:50396
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,281.0019
参考库存:50401
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