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晶体管
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BSC026N04LSATMA1

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数量单价合计
1
¥10.2152
10.2152
10
¥8.6784
86.784
100
¥6.7122
671.22
500
¥5.9325
2966.25
5,000
¥4.1471
20735.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
63 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
85 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
5 ns
零件号别名
BSC026N04LS SP001067014
单位重量
118.140 mg
商品其它信息
优势价格，BSC026N04LSATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CPH6223-TL-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SWITCHING DEVICE
1:¥3.4578
10:¥2.825
100:¥1.7176
1,000:¥1.3334
3,000:¥1.1413
参考库存:16460
RU1C001ZPTL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 1.2V Drive Pch MOSFET
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:55387
BFP 410 H6327
Infineon Technologies
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.1527
10:¥2.599
100:¥1.582
1,000:¥1.2204
3,000:¥1.04525
参考库存:15959
2N7002PS,115
Nexperia
晶体管
MOSFET MOSFET N-CH DUAL 60V
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥0.89157
1,000:¥0.68365
3,000:¥0.52206
参考库存:228721
BC846BM,315
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 65 V, 100 mA NPN General Purpose Tran
1:¥2.5312
10:¥1.7063
100:¥0.71416
1,000:¥0.48364
10,000:¥0.32318
20,000:查看
参考库存:43053
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